產品型號
三個標準熔點，依晶片控制溫度選型
型號數字即設計熔點。選型原則：熔點略低於晶片控制溫度，材料在達到工作溫度前完成填隙。以下數值為 20psi 鎖緊力、ASTM D5470 實測。
| 型號 | 熔點 | 導熱率 | 熱阻 | 膠層厚度 BLT |
|---|---|---|---|---|
| SIBIN#62 低溫啟動，消費性與邊緣運算 | 62℃ | 12.0 W/m·K | 0.042 ℃·cm²/W | 39 µm |
| SIBIN#92 主流 CPU / GPU 工作溫度 | 75–94℃ | 25.1 W/m·K | 0.036 ℃·cm²/W | 50 µm |
| SIBIN#105 AI 加速器與高功率密度晶片 | 100–108℃ | 33.2 W/m·K | 0.006 ℃·cm²/W | 68 µm |
厚度 × 熱阻實測
SIBIN#6262℃
| 厚度 (mm) | 熱阻 (℃·cm²/W) |
|---|---|
| 0.039 | 0.042 |
| 0.087 | 0.087 |
| 0.128 | 0.116 |
SIBIN#9275–94℃
| 厚度 (mm) | 熱阻 (℃·cm²/W) |
|---|---|
| 0.050 | 0.036 |
| 0.146 | 0.072 |
| 0.322 | 0.144 |
SIBIN#105100–108℃
| 厚度 (mm) | 熱阻 (℃·cm²/W) |
|---|---|
| 0.068 | 0.006 |
| 0.150 | 0.025 |
| 0.382 | 0.099 |
規格說明：數值為 ASTM D5470 實測（20psi、各型號於熔點溫度下測試）。熔點與導熱率可依專案需求調配，量產前請以正式 TDS 為準。
材料特性
共同物性
材料類型無鎵低熔點合金
密度~7.2 g/cm³
導熱率12–33 W/m·K，可依配方調整
熔點62–108℃，可依應用客製
鎖緊力需求20psi 即達低熱阻
測試方法ASTM D5470
適用層級TIM1 / TIM1.5（裸晶）/ TIM2
相容基材任何散熱模組材質，含鋁
運作原理
升溫填隙、降溫保形
SIBIN 的設計思維是讓材料在略低於晶片控制溫度的設計熔點下，自行填滿熱源與散熱模組之間的所有氣隙，而不依賴高鎖緊力。
01
低鎖緊力安裝
以 20psi 一般插座鎖緊力安裝合金墊片，無需額外壓力機構。
02
升溫至設計熔點
受材料特性限制，SIBIN 不會完全液化，而是形成高黏性膏狀體填滿所有氣隙，避免泵出（pump-out）。
03
降溫保形固化
溫度降至熔點以下後轉為固態但維持形狀，持續填滿氣隙、抗垂流；重工時可整片取下。
為什麼選 SIBIN
產品優勢
- 導熱率最高 33.2 W/m·K、熱阻低至 0.006 ℃·cm²/W，效能媲美液態金屬
- 無鎵配方，不侵蝕鋁材，可用於任何材質的散熱模組
- 固化後保形抗垂流，不完全液化、避免泵出效應
- 易重工：固態墊片可整片取放，維修不傷件
- 熔點與導熱係數可依客戶應用場景客製調配
- 20psi 低鎖緊力即達低熱阻，降低機構設計負擔
適用場景
典型應用
- AI 加速器 / GPU 模組的 TIM1.5 與 TIM2
- HPC 伺服器 CPU、交換器晶片與先進封裝
- 鋁製散熱模組、不適用鎵基液態金屬的設計
- 需要重工或多次組裝的高價值模組
技術文件